ПЛК Mitsubishi FX1N

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-40MT-ESS/UL: 100-240 В AC, 24 дискретных входа (24 В DC), 16 транзисторных выходов (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-40MT/DSS: 12-24 В DC, 24 дискретных входа (24 В DC), 16 транзисторных выходов (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-60MR-ES/UL: 100-240 В AC, 36 дискретных входов (24 В DC), 24 релейных выхода (264 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-60MR/DS: 12-24 В DC, 36 дискретных входов (24 В DC), 24 релейных выхода (264 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-60MT-ESS/UL: 100-240 В AC, 36 дискретных входов (24 В DC), 24 транзисторных выхода (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-60MT/DSS: 12-24 В DC, 36 дискретных входов (24 В DC), 24 транзисторных выхода (5-30 В DC). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя).