ПЛК Mitsubishi FX0N

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX0N-24MR-ES/UL: 100-240 В перем. тока, 14 дискретных входов (24 В пост. тока), 10 релейных выходов (240 В перем. тока, 30 В пост. тока). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX0N-24MR-DS: 24 В пост. тока, 14 дискретных входов (24 В пост. тока), 10 релейных выходов (240 В перем. тока, 30 В пост. тока). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX0N-24MT-DSS: 24 В пост. тока, 14 дискретных входов (24 В пост. тока), 10 транзисторных выходов (source, источник). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX0N-40MR-ES/UL: 100-240 В перем. тока, 24 дискретных входа (24 В пост. тока), 16 релейных выходов (240 В перем. тока, 30 В пост. тока). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX0N-40MR-DS: 24 В пост. тока, 24 дискретных входа (24 В пост. тока), 16 релейных выходов (240 В перем. тока, 30 В пост. тока). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX0N-40MT-DSS: 24 В пост. тока, 24 дискретных входа (24 В пост. тока), 16 транзисторных выходов (source, источник). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX0N-60MR-ES/UL: 100-240 В перем. тока, 36 дискретных входов (24 В пост. тока), 24 релейных выхода (240 В перем. тока, 30 В пост. тока). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию