Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX3GE-24MR/DS: 14 дискретных входов (24 В DC), 10 релейных выходов, Ethernet 10/100 Мбит, USB, 2 AI (0…10 В; 4….20 мА), 1 AO (0…10 В; 4….20 мА), напряжение питания 24 В DC, быстродействие от 0,21 до 0,42 мс/ лог. инструкцию, память 32000 шагов EEPROM, макс. количество точек ввода-вывода 256

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-60MT/DSS: 12-24 В DC, 36 дискретных входов (24 В DC), 24 транзисторных выхода (5-30 В DC). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя).

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-60MR-ES/UL: 100-240 В AC, 36 дискретных входов (24 В DC), 24 релейных выхода (264 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-60MR/DS: 12-24 В DC, 36 дискретных входов (24 В DC), 24 релейных выхода (264 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-40MT/DSS: 12-24 В DC, 24 дискретных входа (24 В DC), 16 транзисторных выходов (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-40MR/DS: 12-24 В DC, 24 дискретных входа (24 В DC), 16 релейных выходов (264 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-24MT/DSS: 12-24 В DC, 14 дискретных входов (24 В DC), 10 транзисторных выходов (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-24MR-ES/UL: 100-240 В AC, 14 дискретных входов (24 В DC), 10 релейных выходов (264 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-24MR/DS: 12-24 В DC, 14 дискретных входов (24 В DC), 10 релейных выходов (250 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию