ПЛК Mitsubishi FX1S

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-30MR/DS: 16 дискретных входов (24 В DC), 14 релейных выходов (250 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-30MR-ES/UL: 100-240 В AC, 16 дискретных входов (24 В DC), 14 релейных выходов (250 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-30MT-DSS: 24 В DC, 16 дискретных входов (24 В DC), 14 транзисторных выходов (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-14MT-ESS/UL: 100 - 240 В перем. тока, 8 дискретных входов, 6 транзисторных выходов. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-20MT-ESS/UL: 12 дискретных входов, 8 транзисторных выходов, питание 100-240 В перем. тока. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-30MT-ESS/UL: 100-240 В перем. тока, 16 дискретных входов, 14 транзисторных выходов. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию