Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX2N-64MT-ESS/UL: 32 дискретных входа, 32 транзисторных выхода, память 8000 шагов RAM (внутренняя), быстродействие 0,08 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX2N-80MR-DS: 40 дискретных входов, 40 релейных выходов, память 8000 шагов RAM (внутренняя), быстродействие 0,08 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX2N-80MT-DSS: 40 дискретных входов, 40 транзисторных выходов, память 8000 шагов RAM (внутренняя), быстродействие 0,08 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX2N-80MT-ESS/UL: 40 дискретных входов, 40 транзисторных выходов, память 8000 шагов RAM (внутренняя), быстродействие 0,08 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX2N-128MT-ESS/UL: 64 дискретных входа, 64 транзисторных выхода, память 8000 шагов RAM (внутренняя), быстродействие 0,08 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX3G-24MR/DS: 14 дискретных входов (24 В DC), 10 релейных выходов, быстродействие от 0,21 до 0,42 мс/ лог. инструкцию, память 32000 шагов EEPROM, макс. количество точек ввода-вывода 256

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-14MT-ESS/UL: 100-240 В AC, 8 дискретных входов (24 В DC), 6 транзисторных выходов (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-24MT-ESS/UL: 100-240 В AC, 14 дискретных входов (24 В DC), 10 транзисторных выходов (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-40MT-ESS/UL: 100-240 В AC, 24 дискретных входа (24 В DC), 16 транзисторных выходов (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию