Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-24MR-ES/UL: 100-240 В AC, 14 дискретных входов (24 В DC), 10 релейных выходов (264 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-24MR/DS: 12-24 В DC, 14 дискретных входов (24 В DC), 10 релейных выходов (250 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-24MT-001: 220 В перем. тока, 14 дискретных входов, 10 транзисторных выходов. Встроенная память программы: 8000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-24MT-ESS/UL: 100-240 В AC, 14 дискретных входов (24 В DC), 10 транзисторных выходов (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-24MT/DSS: 12-24 В DC, 14 дискретных входов (24 В DC), 10 транзисторных выходов (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-40MR-001: 220 В перем. тока, 24 дискретных входов, 16 релейных выходов. Встроенная память программы: 8000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-40MR-ES/UL: питание 100-240 В перем. тока, 24 дискретных входа (24 В пост.тока), 16 релейных выходов (264 В перем. тока, 30 В пост. тока) 2 А на канал, защита IP 20, тип памяти EEPROM на 8000 шагов, макс. количество точек ввода/вывода 128, быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-40MR/DS: 12-24 В DC, 24 дискретных входа (24 В DC), 16 релейных выходов (264 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-40MT-001: 220 В перем. тока, 24 дискретных входов, 16 транзисторных выходов. Встроенная память программы: 8000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.