Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX3G-14MT/ESS: 8 дискретных входов (24 В DC), 6 транзисторных выходов (source), напряжение питания ~100-240 В, быстродействие от 0,21 до 0,42 мс/ лог. инструкцию, память 32000 шагов EEPROM, макс. количество точек ввода-вывода 256

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX3G-14MT/ES: 8 дискретных входов (24 В DC), 6 транзисторных выходов (sink), напряжение питания ~100-240 В, быстродействие от 0,21 до 0,42 мс/ лог. инструкцию, память 32000 шагов EEPROM, макс. количество точек ввода-вывода 256

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX3G-14MT/DSS: DC 24В; 8 входов DC 24В; 6 транзисторных выходов (источник source), быстродействие от 0,21 до 0,42 мс/ лог. инструкцию, память 32000 шагов EEPROM, макс. количество точек ввода-вывода 256

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX3G-14MR/DS: 8 дискретных входов (24 В DC), 6 релейных выходов, быстродействие от 0,21 до 0,42 мс/ лог. инструкцию, память 32000 шагов EEPROM, макс. количество точек ввода-вывода 256

GS2110-WTBD-N Графическая панель с сенсорным экраном 10"; TFT-Display, 800x480, 65536 цветов, сенсорный экран, Ethernet; RS422; RS485; RS232; USB (dev 1ch); SD-карта, питание 24 B DC; IP65F. Функция VNC-сервера.

Высокомощное электромагнитное реле TRC-25A20C12, управляющее напряжение 12V DC/AC 42 мА, коммутируемая нагрузка 250V AC/30V DC 20A. Мягкий пусковой электромагнитный контактный релейный модуль

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-30MT-DSS: 24 В DC, 16 дискретных входов (24 В DC), 14 транзисторных выходов (5-30 В DC). Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-30MR-ES/UL: 100-240 В AC, 16 дискретных входов (24 В DC), 14 релейных выходов (250 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-30MR/DS: 16 дискретных входов (24 В DC), 14 релейных выходов (250 В AC, 30 В DC) 2 А на канал. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию