Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-20MT-ESS/UL: 12 дискретных входов, 8 транзисторных выходов, питание 100-240 В перем. тока. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-14MT-ESS/UL: 100 - 240 В перем. тока, 8 дискретных входов, 6 транзисторных выходов. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-60MT-001: 220 В перем. тока, 36 дискретных входов, 24 транзисторных выходов. Встроенная память программы: 8000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-60MR-001: 220 В перем. тока, 36 дискретных входов, 24 релейных выходов. Встроенная память программы: 8000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-40MT-001: 220 В перем. тока, 24 дискретных входов, 16 транзисторных выходов. Встроенная память программы: 8000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-40MR-001: 220 В перем. тока, 24 дискретных входов, 16 релейных выходов. Встроенная память программы: 8000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-24MT-001: 220 В перем. тока, 14 дискретных входов, 10 транзисторных выходов. Встроенная память программы: 8000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-24MR-001: 220 В перем. тока, 14 дискретных входов, 10 релейных выходов. Встроенная память программы: 8000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-14MT-001: 220 В перем. тока, 8 дискретных входов, 6 транзисторных выходов. Встроенная память программы: 8000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию.