Mitsubishi Electric

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX3U-48MT/ESS: 24 дискретных входа (PNP/NPN 24VDC), 24 выхода (PNP транзистор 0,5А), память 64000 шагов RAM (внутренняя), быстродействие 0,065 мкс/ лог. инструкцию, интерфейс RS-422 (связь с панелью оператора HMI и загрузка программы), питание 220VAC.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1N-60MT/DSS: 12-24 В DC, 36 дискретных входов (24 В DC), 24 транзисторных выхода (5-30 В DC). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя).

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX3G-60MR/DS: 36 дискретных входов (24 В DC), 24 релейных выхода, напряжение питания 24 В DC, быстродействие от 0,21 до 0,42 мкс/ лог. инструкцию, память 32000 шагов EEPROM, макс. количество точек ввода-вывода 256

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX2N-64MT-ESS/UL: 32 дискретных входа, 32 транзисторных выхода, память 8000 шагов RAM (внутренняя), быстродействие 0,08 мкс/ лог. инструкцию

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX5U-80MT/DS: каналы дискретного входа: 40 (24 В пост.), каналы дискретного выхода: 40 (транзистор, приёмник) (sink); 2 аналоговых входа; 1 аналоговый выход; Ethernet; интерфейс RS485; SD-карта, питание: 24В пост. тока

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX1S-30MT-ESS/UL: 100-240 В перем. тока, 16 дискретных входов, 14 транзисторных выходов. Энергонезависимая память программы (максимальный объем): 2000 шагов EEPROM (внутренняя). Быстродействие: 0,55 - 0,7 мкс/ лог. инструкцию

Модуль расширения Mitsubishi Electric FX2N-48ER: 24 входа (24V), 24 выхода (реле 2A). Совместим с контроллерами FX2N и FX3U.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX3U-64MR/DS: 32 дискретных входа (PNP/NPN 24VDC), 32 выхода (реле 2А), память 64000 шагов RAM (внутренняя), быстродействие 0,065 мкс/ лог. инструкцию, интерфейс RS-422 (связь с панелью оператора HMI и загрузка программы), питание 24 В пост.

Базовый блок Mitsubishi Electric ПЛК FX3G-60MR/ES: 36 дискретных входов (24 В DC), 24 релейных выходов; напряжение питания ~100-240 В, быстродействие 0,21-0,42 мкс., память 32000 шагов EEPROM, макс. количество точек ввода-вывода 256